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离子注入已经成为半导体生产工艺中不可缺少的手段。利用离子注入可以很方便地实现半导体掺杂,且与传统的掺杂工艺相比具有很多优点,
如:①离子注入可以有效注入多种元素的离子,并且不受杂质固溶度的影响。
②离子注入可以在指定位置和深度引入杂质。这在半导体器件制备过程中是必需的。
③离子注入引入数量可以精确控制杂质,并具有很高的可重复性。这是常规掺杂方法不能满足的。
④离子注入基本上不存在横向扩散问题,从而使器件、电路达到更高集成度。另外,离子注入在半导体中还有很多其他应用,如实现器件和电路的隔离等。
然而,由于离子的能量一般为数万至数十万电子伏,在离子注入的过程中,离子不可避免地与材料中的晶格原子发生碰撞,产生原子位移,导致大量的缺陷。
当离子注入的剂量很大时,这些缺陷还会重叠并发生相互作用,产生更为复杂的缺陷。在半导体中,缺陷对电学特性产生重要的影响,因此,要想通过离子注入达到掺杂的目的,就必须消除缺陷的影响。对这些离子注入产生的缺陷及其退火回复过程进行研究,就显得非常有必要。
影响自由扩散的因素:细胞膜内外物质的浓度差 -----协助扩散---------:细胞膜内外物质的浓度差和细胞膜上运载物质的载体数目 -----主动运输---------:载体:使细胞膜上的一类蛋白质,具有饱和性和特异性、竞争抑制现象 能量:耗能
其原理是
粒子发出的射线可以直接作用于肿瘤细胞的DNA,造成DNA的双链断裂。它属于放射治疗的一种,是内放疗的范畴,也叫近距离治疗。
有。唐都医院在西安城东。唐都医院南邻新寺路,北邻席王路,东邻柳鸣路西安城东客运站,西邻电厂东路旧货交易中心。坐地铁1号线到终点站城东客运站下车,从A口出来向西沿新寺路走进去就到了。